MRFG35005ANT1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
32
2
14
0
60
Pout, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 3. Single-Channel W-CDMA Power Gain
and Drain Efficiency versus Output Power
20 24 26 3022
18
10
8
6
4
50
40
30
20
10
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
28
12
Gps
32
?60
?5
Pout, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 4. Single-Channel W-CDMA Adjacent
Channel Power Ratio and IRL versus Output Power
20 24 26 3022
18
?20
?30
?40
?10
?15
?20
?25
?30
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
ACPR, ADJACENT CHANNEL POWER RATIO (dBc)
28
?10
VDS= 12 Vdc, IDQ
= 80 mA, f = 3550 MHz
Single?Carrier W?CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
ΓS
= 0.852
?115.6, ΓL
= 0.737
?146.1
IRL
ACPR
NOTE:
All data is referenced to package lead interface. ΓS
and
ΓL
are the impedances presented to the DUT.
All data is generated from load pull, not from the test circuit shown.
VDS= 12 Vdc, IDQ
= 80 mA, f = 3550 MHz
Single?Carrier W?CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
ΓS
= 0.852
?115.6, ΓL
= 0.737
?146.1
?50
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